RDN8804 20V/25A RDS(ON) 3.8mR雙N溝道增強型功率MOSFET采用最新的溝道處理技術，以實現高單元密度和低柵電荷降低導通電阻。這些特點結合起來，使這種設計成為一個非常有效和可靠的設備，用于大電流負載應用。

　　

　　RDN8804 特點　　

　　●20V/25A, RDS(ON) =3.8mΩ@VGS=4.5V(典型)　　

　　●高密度電池設計，超低Rdson　　

　　●全特性雪崩電壓和電流

　　

　　管腳描述

　　

　　應用領域　　

　　● 大電流應用中的負載開關　　

　　● 逆變器系統的電源管理　　

　　● 電池保護

　　

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