芯朋微攜PD快充方案閃爍亞洲展,圓滿落幕!
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芯朋微于3月22日參加2019(春季)USB PD&Type-C 亞洲大會,應用技術總監王曠出席演講《如何讓PD快充及無線充方案更精簡?》,發布最新PD快充及無線充的重磅IC新品及解決方案。
普通充電器充電接口一般為USB A口,輸出電壓固定為5V,單口輸出電流不超過2.4A,受電網波動影響,持續高壓容易損壞充電器器件,嚴重威脅充電器的安全,驪微電子代理的芯朋微PN637x通過OV/BO腳精確偵測市電,對充電器進行最安全保護:保護點不振蕩、保護后不重啟、保護后不鎖死、雷擊時不掉電!PN8306x集成智能Trench MOS,可實現零外圍工作,提升轉換效率,提高功率密,讓充電器更安全可靠。
PD快充需增加通信模塊,以根據手機指令調整輸出電壓及最大電流限制,同時需采用寬供電范圍、高耐壓、低Rdson 同步整流,以提高功率密度,因此充電接口一般為USB A/C口,輸出電壓一般可通過手機調節(PPS),最大輸出功率不低于18W,隨著Type C接口的普及,以及高通及MTK方案對PD協議的支持,芯朋微基于PN8161+PN8307H推出18W PD快充電源應用方案。
Chipown PD快充方案概況:
輸入電壓:90~265Vac
輸出功率:18W
輸出規格:12V1.5A;9V2A;5V3A
平均效率:滿足CoC V5-2,4個點裕量
PCBA尺寸:48.0mm*36.0mm*14mm
擁有市電Brown in/out、輸出過壓保護、精準過溫保護、逐周期過流保護、次級整流管短路保護等。
PD快速充電器技術挑戰:
原副邊芯片如何實現寬VDD工作范圍?
不同輸出電壓下,如何提高轉換效率、簡化EMC設計?
協議芯片的兼容性?
PN8161內部集成了準諧振工作的電流模式控制器和功率MOSFET,專用于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉換開關電源。
PN8307H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系統中替代次級整流肖特基二極管。
Q1:如何降低SR電壓應力?
CCM模式被限制:啟動瞬態,CCM模式僅存在于SR沒有工作前(輸出電壓低于3V)。正常工作時,PN8161被限制QR/DCM模式,由于不能工作在CCM模式,SR無額外尖峰電壓(反向恢復尖峰或直通尖峰);
支持大匝比設計:PN8161內置690V高雪崩智能MOSFET,支持11以上匝比設計,進一步降低SR反壓。
Q2:如何降低EMC設計難度?
PN8161 內置頻率抖動模塊,調節Ipk改變導通時間T1和消磁時間T2,從而實現開關頻率fs抖動。
負載越重,抖頻幅度越大,傳導易通過;負載減輕,由于T3增長,抖頻幅度隨之減小,避免音頻噪音。
Q3:如何滿足CoC V5 Tier 2能效?
自適應工作曲線:根據輸出電壓調整降頻曲線來.保證系統穩定,同時實現了不同輸出下高工作效率。
智能MOSFET:M1電流采樣節省CS電阻損耗;M2功率開關1.6ohmRdson,降低通態損耗;M3高壓啟動移去2顆啟動電阻,滿足30mW待機。
高集成度同步整流:11mohmRdson小通態損耗;自適應關斷閾值根據漏源端壓差來自主調節關斷閾值,以減小體二極管導通的時間。
Q4:PD快充方案如何更安全可靠?
Q5方案如何更精簡?
1. 原邊芯片PN8161實現SOP8功率集成,節省啟動電阻、CS偵測網絡等外圍;
2. 方案僅工作在QR/DCM模式,60V同步整流電壓裕量充足,PN8307H實現SOP8功率集成,簡化應用;
3. SSR架構,協議芯片任意搭,百家爭鳴,易實現最簡通信模塊;
18W PD快充電源應用方案亮點:
節省10顆以上外圍:無啟動電阻、無CS偵測網絡,原副邊均實現SOP8功率集成;
滿足CoC V5 Tier 2:專利高壓啟動,實現30mW待機功耗;工作曲線隨輸出電壓自適應,不同輸出電壓下平均效率裕量均大于4個點;
EMC性能卓越:抖頻幅度隨負載自適應,改善傳導;DCM/QR工作模式,避免次級整流管反向恢復問題,改善輻射;
3.3~12V寬輸出電壓范圍:PN8161/PN8307H供電范圍寬,無需額外LDO穩壓;
協議芯片任意搭:SSR架構,方案易滿足PD3.0/QuickCharge 4+。
隨著USB PD快充及高通QC4+快充的普及,整個USB PD快充生態已經具備一定規模,芯朋微推出的PN8161+PN8307H 18W PD快充電源應用方案支持12V1.5A;9V2A;5V3A輸出規格,擁有更高效的供電能力,傳輸速率最快,有效的解決了手機快速充電續航等問題,如果需要產品的詳細資料,可向驪微電子申請。。。。
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