PN8036M非隔離ac/dc電源芯片主要是用于外圍精簡的開關電源，其內部集成了PFM控制器以及智能功率MOSFET，內置MOSFET具有650V高雪崩能力，實現系統快速啟動、超低待機功能，并具有過流、欠壓、過溫保護，PN8036M采用的降頻調制技術有效改善了EMI特性，下面跟隨驪微電子芯朋微代理詳細了解非隔離ac/dc電源芯片PN8036M。
 

　　
 

　　1. PN8036M高壓啟動：在啟動階段，內部高壓啟動管提供2mA電流對外部VDD電容進行充電；當VDD電壓達到VDDON，PN8036M芯片開始工作，高壓啟動管停止對VDD電容充電。啟動過程結束后，輸出通過隔離二極管對VDD電容提供能量，供芯片繼續工作。

　　

　　2. PN8036M恒壓工作模式：芯片通過VDD管腳對輸出進行電壓采樣，VDD電壓經過內部分壓電阻分壓得到采樣電壓VRF。當VRF低于內部基準電壓VREF，芯片開啟集成的高壓功率管，對儲能電感充電，當電感電流達到內部基準電流IPEAK，芯片關閉集成的高壓功率管，由系統二極管對儲能電感續流。圖2-1和圖2-2分別給出連續模式（CCM）和非連續模式（DCM）下系統關鍵節點工作波形。同時芯片集成負載補償功能，可以提高恒壓精度，實現較好的負載調整率。　
 

　

　　實際應用中VDD對輸出的電壓采樣還受到隔離二極管影響，因此芯片VDD-REF設置為12.3V(TYP)，以抵消隔離二極管上的壓降。

　　

　　3.PN8036PFM 調制：芯片工作在PFM模式，同時內部設置IPEAK隨芯片工作頻率FSW降低而降低，芯片開關周期每增大1us，Ipeak降低約10mA。由于芯片內置采樣，最大Ipeak固定，當輸出電壓和輸出電流固定時，電感感量是唯一調制工作頻率的參數。建議電感量為0.5mH (EE-13), 如果感量過小，系統帶載能力會偏小，如果感量過大，容易造成電感飽和，影響可靠性。

　　

　　4.PN8036M軟啟動：為了避免非隔離系統啟動階段因進入深度CCM模式，帶來較大電流尖峰，PN8036設置軟啟動功能，通過限制Toffmin降低啟動階段的開關頻率。同時芯片設計較小的LEB時間（300ns）,以降低LEB時間內能量大小，避免系統啟動時的高電流尖峰。

　　

　　5. PN8036M智能保護功能：　　

　　PN8036M非隔離ac/dc電源芯片集成全面的保護功能，包括：過溫保護、VDD欠壓保護功能，并且這些保護具有自恢復模式。　　

　　過溫保護------當芯片結溫超過150℃，芯片進入過溫保護狀態，輸出關閉，當芯片結溫低于120度，芯片重新啟動。　　

　　VDD欠壓保護------當芯片VDD電壓低于VDDoff，芯片重新啟動。芯片異常自恢復的時間通過VDD電容調整，VDD電容越大，自恢復時間越長。