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小體積20W PD快充方案

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文章出處:驪微電子責(ze)任編輯(ji):電源管理芯片人氣:-發表(biao)時間:2021-10-27 08:53
  蘋果20W PD快充方案的推出,勢必會帶動第三方快充配件的快速發展,驪微電子推出了一套高集成20W PD快充方案,利用PN8162+PN8307H兩顆內置mos芯片實現AC-DC電源轉換,節省啟動電阻、CS偵測電阻等多顆外圍,在小體積內實現高性能的電源方案。
 
  
 
  主控芯片PN8162采用 PDFN 專用功率封裝,相比傳統 SOP8,封裝熱阻更低,顯著提高了充電器功率密度,內置690V高雪崩能力的功率MOSFET,準諧振工作,通過DMG檢測到的消磁信號實現精確谷底開通,以提高系統的轉換效率。
  
  次級同步整流MOS采用PN8307H,內置11mΩ 60V Trench MOSFET,集成了極為全面的輔助功能,包含輸出欠壓保護、防誤開啟、最小導通時間等功能,可保證電壓 de-rating 裕量充足,進而降低整體方案成本,節省啟動電阻、CS偵測電阻等多顆外圍。
 
  
  20W PD快充方案亮點  
  ★ 原邊主控 PN8162 和次邊同步 PN8307H均實現功率集成,得益于專利智能 MOS 技術,節省啟動電阻、CS偵測電阻等多顆外圍,PCBA 尺寸:28mm*28mm*24mm;  
  ★ PN8162 采用 PDFN 專用功率封裝,相比傳統 SOP8,封裝熱阻從 80℃/W 降低至 15℃/W,顯著提高充電器功率密度;單邊 drain 腳位,高低壓引腳爬電距離大于 1.2mm,安全可靠;  
  ★ PN8162 采用負載自適應谷底開通技術,徹底解決小體積充電器開關干擾源至 LN 線位移電流帶來的傳導難題,EMC 裕量大于 6dB;  
  ★ PN8162 工作強制 DCM 模式,從而保證最糟工況下 SR 尖峰電壓可控制在 51V 以內,60V 耐壓的 PN8307即可保證電壓 de-rating 裕量充足,進而降低整體方案成本;  
  ★ PN8162 內置輸入欠壓保護,通過 DMG 監控市電,防止市低壓工作導致電源異常;  
  ★ PN8162 9-38V VDD 供電、PN8307 3-24V VCC 供電,在 3-12V 輸出電壓范圍內無需外部 LDO;  
  ★ PN8162 內置線電壓補償,根據市電自動調整內部峰值電流參考,全電壓范圍 OCP 精度在 10%以內;  
  ★ HUSB339B 協議支持 PD3.0、PD2.0、QC3.0/QC2.0、AFC、FCP、BC1.2 DCP 及 5V2.4A。
 
  
 
  驪微電子20W PD快充方案通過采用高集成設計的芯片,實現了超精簡的外圍電路,一方面為快充電源廠商降低了新品開發的門檻、加速了新品上市的周期,另一方也使得產品的系統成本得以進一步壓縮,提升利潤空間和產品競爭力,更多基于PN8162+PN8307H小體積20W PD快充方案原理圖,電源輸入輸出規格,BOM 表和變壓器參數以及安規和 EMI 測試數據等資料,可向驪微電子申請。>>

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