5V2.4A 六級能效充電器套片方案
今天我們為各位粉絲詳細介紹PN8305與PN8370配合使用,輕松實現5V2.4A六級(ji)能效電源方案。
1.封裝及腳位配置圖
PN8370集成超低待機功耗準諧振原邊控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源。
PN8370為原邊反饋(kui)工(gong)作(zuo)模式,可省略光耦和TL431。內置高壓啟(qi)動電(dian)路,可實(shi)現芯(xin)片(pian)空載損(sun)耗(230VAC)小于(yu)30mW。
PN8305包括同(tong)步整(zheng)流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系統(tong)中替代(dai)次(ci)級整(zheng)流肖(xiao)特(te)基(ji)二極管。
PN8305內(nei)置電壓(ya)降極低的功率MOSFET以(yi)提高電流輸出(chu)能(neng)力(li),提升轉換效率并降低芯片溫(wen)度。
2.PCB及DEMO實物圖
3.方案典型應用圖
4.方案特性
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輸入電壓(ya):90~265Vac全(quan)電壓(ya)
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輸出電壓(ya):5V
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輸出電流:2.4A
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平(ping)均效(xiao)率:≥79.94%(滿足六級(ji)能效(xiao)要求)
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待(dai)機(ji)功耗<75mW
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多重補(bu)償(chang)(線(xian)補(bu)償(chang)、CC補(bu)償(chang)、溫(wen)度(du)補(bu)償(chang)、輕載補(bu)償(chang))無需外部(bu)元件
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輸出短(duan)(duan)路保護(hu)(hu)、輸出過流(liu)保護(hu)(hu),VDD過壓(ya)保護(hu)(hu),FB分壓(ya)電(dian)阻(zu)開(kai)路、短(duan)(duan)路保護(hu)(hu),電(dian)流(liu)偵測電(dian)阻(zu)Rcs短(duan)(duan)路保護(hu)(hu),過溫保護(hu)(hu)。
5.測試數據
6.EMC測試
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EMI傳導、輻射滿足EN55022 Class B標準要求,裕量均大(da)于6.0dB
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ESD滿足IEC61000-4-2,8kV/15kV等級要求
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EFT滿足IEC 61000-4-4: 2004,4kV等級要求
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Surge滿足IEC 61000-4-5:2005,1kV等級要求
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交流絕緣滿足3.75kV,60s, 漏電流小于5mA要求
7.應用要點
PN8370工作在DCM模式,忽略傳輸(shu)瞬態(tai)Tr和(he)Tf,導通(tong)時間、去磁時間和(he)振蕩(dang)時間分(fen)別(bie)為:
PN8370在T2時間(jian)內(nei)間(jian)接采(cai)樣輸出電壓信號,為(wei)減小(xiao)漏(lou)感(gan)振(zhen)蕩(dang)對采(cai)樣的影響,最小(xiao)T2時間(jian)應足(zu)夠長(5V2.4A應用建(jian)議大于2.5us):
備注:電(dian)源(yuan)在(zai)小負載工況(kuang)下,PN8370的(de)Vcs=0.17V以避免音頻噪(zao)音。
PN8305須在T2時(shi)(shi)間內完成(cheng)Trench MOSFET的開通和關斷(duan),其最小導(dao)通時(shi)(shi)間由(you)RT電阻設(she)定(ding):
因此RT電阻建議取(qu)值為:
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