電子設備的核心是電源管理芯片，為了發揮電子系統的最佳性能，選擇合適的電源管理方式對系統來說是至關重要的，下面跟隨芯朋微代理商驪微一起了解下7個大幅精簡外圍的ac-dc電源管理芯片方案。

　　

　　(1)節省7顆阻容件，家電ac-dc電源芯片：PN8034　　

　　Chipown高低壓集成技術的經典代表產品，3Pin開關電源，極簡外圍。PN8034集成PFM控制器及690V高雪崩智能功率MOSFET，廣泛應用于12V300mA Buck/Buck-Boost架構的智能家電內置電源板。　　

　　內置高壓啟動，節省2顆啟動電阻；　　

　　內置電流采樣管，節省2顆電流偵測電阻；　　

　　智能PFM控制技術，節省2顆輸出電壓采樣電阻及1顆環路補償電容。

　　

　　(2)節省1顆高壓MOS和9顆阻容件，智能電表ac-dc電源芯片：PN8145T　　

　　Chipown集成1200V功率MOSFET的經典代表產品。PN8145T集成PWM控制器及1200V高雪崩智能功率MOSFET，典型應用于10W SSR Flyback架構的智能電表內置電源板。　　

　　內置高壓啟動，節省3顆啟動電阻；　　

　　內置1200V功率MOSFET，單端反激架構即可滿足三相電網電輸入，節省1顆功率開關管及6顆驅動外圍器件。無需類似其他友商650V耐壓產品要外部串聯高壓MOS分壓。

　　

　　(3) 節省10顆阻容件/光耦，0瓦待機ac-dc電源芯片：PN6367　　

　　Chipown集成深度休眠技術的經典代表產品。PN6367集成多模式控制器及720V高雪崩智能功率MOSFET，典型應用于PSR Flyback架構的微型斷路器內置電源板。內置高壓啟動，節省2顆啟動電阻；　　

　　原邊反饋及控制，節省光耦及TL431反饋網絡等8顆外圍器件；　　

　　與MCU配合，芯片實現深度休眠，為當前行業最精簡的MCB電源解決方案。

　　

　　(4)節省6顆阻容件，24W無散熱片六級能效ac-dc電源芯片：PN8160T　　

　　Chipown高低壓集成技術的SSR代表產品。PN8160T集成六級能效控制器及690V高雪崩智能功率MOSFET，廣泛應用于12V2A SSR Flyback架構的六級能效適配器。　　

　　內置高壓啟動，節省2顆啟動電阻；　　

　　內置電流采樣管，節省4顆CS偵測器件，并以Trim技術實現3%OCP精度；　　

　　疊層封裝技術提高功率密度，24W應用無需散熱片。

　　

　　(5) 節省11顆阻容件，專打印度過欠壓的AC-DC電源芯片：PN6370P　　

　　Chipown集成不重啟過欠壓技術的代表產品。PN6370P集成多模式控制器及800V高雪崩智能功率MOSFET，廣泛應用于12W PSR Flyback架構的印度市場專用的充電器、適配器。　　

　　內置高壓啟動，節省2顆啟動電阻；　　

　　內置市電偵測模塊，節省9顆外圍器件，實現行業最安全的輸入高壓保護方式：不鎖死，不重啟，不掉電。

　　

　　(6) 節省10顆阻容件/光耦，24W全集成PSR電源芯片：PN8395H　　

　　Chipown集成CCM技術的PSR代表產品。PN8395H集成六級能效控制器及690V高雪崩智能功率MOSFET，典型應用于12V2A的PSR Flyback架構的六級能效適配器。　　

　　內置高壓啟動，節省2顆啟動電阻；　　

　　原邊反饋及控制，節省光耦及TL431反饋網絡等8顆外圍器件；　　

　　支持DCM及CCM工作模式，率先突破PSR 24W功率集成的技術挑戰。

　　

　　(7) 節省4顆阻容件，零外圍同步整流器：PN8306M　　

　　Chipown全集成技術的SR代表產品。PN8306M集成同步整流控制器及40V智能功率MOSFET，廣泛應用于5V2A PSR Flyback架構的六級能效充電器、USB排插電源板。　　

　　節省傳統方案所需的1顆SW限流電阻和1顆RT調節電阻；　　

　　內置MOSFET的 dv/dt變化緩慢，節省2顆RC snubber器件；　　

　　采用輸出電壓供電，可實現零外圍工作。

　　

　　驪微電子代理的ac-dc電源管理芯片適用于電源及電子設備等領域了，憑技術精簡外圍元件!EMI技術不僅具有優良的噪音衰減特性，而且功能強大，有的還能實現熱插拔，可大大節省印制板(PCB）的空間，為客戶提供高能效、低功耗、品質穩定的集成電源管理芯片，同時還提供一站式的應用解決方案和現場技術支持服務，