5V2.4A 六級能效充電器套片方案
今天我們為各位粉絲詳細介紹PN8305與PN8370配合使用,輕松實現5V2.4A六級能(neng)效電(dian)源方案。
1.封裝及腳位配置圖
PN8370集成超低待機功耗準諧振原邊控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源。
PN8370為原邊反饋工作模式,可省略(lve)光耦和TL431。內(nei)置(zhi)高(gao)壓(ya)啟動(dong)電(dian)路(lu),可實現(xian)芯片空載損耗(230VAC)小于30mW。
PN8305包括同(tong)步整流(liu)控(kong)制器(qi)及(ji)N型功率MOSFET,用于在高性能反激(ji)系統(tong)中替(ti)代次(ci)級整流(liu)肖特基二(er)極管。
PN8305內(nei)置電(dian)壓(ya)降極低的功(gong)率MOSFET以提高電(dian)流輸出能力,提升(sheng)轉換(huan)效(xiao)率并降低芯片(pian)溫度。
2.PCB及DEMO實物圖
3.方案典型應用圖
4.方案特性
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輸入(ru)電壓(ya):90~265Vac全電壓(ya)
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輸出電壓:5V
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輸出電流:2.4A
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平均效率:≥79.94%(滿足六級能效要求(qiu))
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待機功(gong)耗<75mW
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多重補償(chang)(線(xian)補償(chang)、CC補償(chang)、溫度補償(chang)、輕(qing)載補償(chang))無需外部元件
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輸出(chu)短路保(bao)護(hu)(hu)(hu)、輸出(chu)過(guo)流保(bao)護(hu)(hu)(hu),VDD過(guo)壓保(bao)護(hu)(hu)(hu),FB分壓電(dian)阻開路、短路保(bao)護(hu)(hu)(hu),電(dian)流偵(zhen)測電(dian)阻Rcs短路保(bao)護(hu)(hu)(hu),過(guo)溫保(bao)護(hu)(hu)(hu)。
5.測試數據
6.EMC測試
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EMI傳導、輻射滿足EN55022 Class B標準要求,裕量均大于6.0dB
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ESD滿足IEC61000-4-2,8kV/15kV等級要求
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EFT滿足IEC 61000-4-4: 2004,4kV等級要求
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Surge滿足IEC 61000-4-5:2005,1kV等級要求
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交流絕緣滿足3.75kV,60s, 漏電流小于5mA要求
7.應用要點
PN8370工作在DCM模式,忽(hu)略傳輸瞬態(tai)Tr和Tf,導通時(shi)間(jian)(jian)、去磁(ci)時(shi)間(jian)(jian)和振(zhen)蕩時(shi)間(jian)(jian)分別為:
PN8370在T2時(shi)間內間接采樣輸出電壓信號(hao),為(wei)減小漏感振蕩對采樣的影響,最小T2時(shi)間應足夠長(chang)(5V2.4A應用建議大(da)于(yu)2.5us):
備注:電源在(zai)小負載工況(kuang)下,PN8370的(de)Vcs=0.17V以避免音(yin)頻噪音(yin)。
PN8305須在T2時間內完成Trench MOSFET的(de)開通(tong)和關斷,其最小導通(tong)時間由RT電阻設定:
因此RT電阻建議(yi)取(qu)值為(wei):
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