PN8386產品描述：
PN8386集成超低待機功耗準諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源。PN8386為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。內置高壓啟動電路，可實現芯片空載損耗（264VAC）小于50mW。在恒壓模式，采用準諧振與多模式技術提高效率并消除音頻噪聲，使得系統滿足6級能效標準，可調輸出線補償功能能使系統獲得較好的負載調整率；在恒流模式，輸出電流和功率可通過CS腳的電阻進行調節。該芯片提供了極為全面的智能保護功能，包含逐周期過流保護、過壓保護、開環保護、過溫保護、輸出短路保護和CS開/短路保護等。

 

PN8386產品特點：

內置650V高雪崩能力的功率MOSFET

內置高壓啟動電路小于50MW空載損耗(264V AC)

采用準諧振與多模式技術提高效率滿足6級能效標準

全電壓輸入范圍±5%的CC/CV精度 

原邊反饋可省光耦和TL431

恒流恒壓輸出線補償外部可調

無需額外補償電容

無音頻噪聲

智能保護功能

   過溫保護（OTP）                                                                

   VDD欠壓&過壓保護 (UVLO&OVP)

   逐周期過流保護 (OCP)

   CS開/短路保護 (CS O/SP）

   開環保護 (OLP)