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深圳市驪微電子科技有限公司
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PN8611內置mos原邊反饋芯片集成超低待機功耗原邊控制器、FB下偏電阻和電容、VDD供電二極管、CS電阻及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件超精簡的充電器、適配器和內置電源。
PN8611為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。內置高壓啟動電路，可實現芯片空載損耗（230VAC）小于50mW。在恒壓模式，采用多模式技術提高效率并消除音頻噪聲，使得系統滿足6級能效標準，內置輸出線補償功能使系統獲得較好的負載調整率。
PN8611內置mos原邊反饋芯片提供了極為全面的智能保護功能，包含逐周期過流保護、過壓保護、開環保護、過溫保護和輸出短路保護等。
PN8611內置mos原邊反饋芯片產品特征
■ 內置650V高雪崩能力智能功率MOSFET
■ 內置高壓啟動電路，小于50mW空載損耗（230VAC）
■ 采用多模式技術提高效率，滿足6級能效標準
■ 全電壓輸入范圍±5%的CC/CV精度
■ 原邊反饋可省光耦和TL431
■ 無需電流采樣電阻、FB反饋下電阻、VDD供電二極管
■ 無需額外補償電容
■ 無音頻噪聲
■ 智能保護功能
過溫保護 (OTP)
VDD欠壓&過壓保護 (UVLO&OVP)
逐周期過流保護 (OCP)
開環保護 (OLP)
封裝/訂購信息
PN8611管腳定義
| 管腳名 | 管腳標號 | 管腳功能描述 |
| DIO | 1 | 輔助繞組給VDD電容充電引腳 |
| VDD | 2 | 工作電壓輸入引腳 |
| FB | 3 | 反饋引腳，輔助繞組電壓通過電阻反饋穩定輸出 |
| GND | 4 | 地電位 |
| SW | 5,6,7,8 | 智能功率MOSFET Drain端引腳，跟變壓器初級相連 |
PN8611內置mos原邊反饋芯片典型功率
PN8611典型應用電路
外圍參數選擇參考
為了獲得更佳的 PN8611 系統性能，請務必遵守以下規則：
1. VDD 電容 EC1 應放置在距離 VDD 引腳和 GND 引腳最近的地方。
2. 輔助繞組經 R1 到 FB 腳的走線盡量短，使 FB 采樣回路最小。
PN8611輸出特性
PN8611內置mos原邊反饋芯片應用領域
■ 開關電源適配器
■ 電池充電器
■ 機頂盒電源
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