PN8680M概述：　　

　　PN8680M原邊反饋低功耗電源芯片集成超低待機功耗原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源。PN8680M為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。PN8680低功耗電源芯片內置高壓啟動電路，可實現芯片空載損耗（230VAC）小于50mW。在恒壓模式，采用多模式技術提高效率并消除音頻噪聲，使得系統滿足6級能效標準，可調輸出線補償功能能使系統獲得較好的負載調整率；在恒流模式，輸出電流和功率可通過CS腳的電阻進行調節。該芯片提供了極為全面的智能保護功能，包含逐周期過流保護、過壓保護、開環保護、過溫保護、輸出短路保護和CS開/短路保護等。

　　

　　PN8680M產品特征：　　

　　■ 內置650V高雪崩能力智能功率MOSFET　　

　　■ 內置高壓啟動電路，小于50mW空載損耗（230VAC）　　

　　■ 采用多模式技術提高效率，滿足6級能效標準　　

　　■ 全電壓輸入范圍±5%的CC/CV精度　　

　　■ 原邊反饋可省光耦和TL431　　

　　■ 恒壓、恒流、輸出線補償外部可調　　

　　■ 無需額外補償電容　　

　　■ 無音頻噪聲　　

　　■ 智能保護功能　　

　　   過溫保護 (OTP)　　

　　   VDD欠壓&過壓保護 (UVLO&OVP)　　

　　  逐周期過流保護 (OCP)　　

　　  CS開/短路保護 (CS O/SP）　　

　      開環保護 (OLP)

　　

　　PN8680M封裝/訂購信息：
 

　

　　注：PN8680M原邊反饋低功耗電源芯片最大輸出功率是在環境溫度45℃的密閉式應用情形下測試。

　　

　　PN8680M管腳定義:

管腳名	管腳標號	管腳功能描述
VDD	1	工作電壓輸入引腳
GND	2	地電位
FB	3	反饋引腳，輔助繞組電壓通過電阻反饋穩定輸出
CS	4	電流檢測引腳
SW	5,6,7,8	智能功率MOSFET Drain端引腳，跟變壓器初級相連

　　

　　PN8680M典型應用電路圖：
 

　　

　　PN8680M極限工作范圍：　　

　　VDD 腳耐壓……………….……………………-0.3~40V　　

　　FBCS 腳耐壓………………...……….…………-0.3~5.5V　　

　　SW 腳耐壓……………………….…….…..…. -0.3~650V　　

　　結工作溫度范圍……….…..….…..…...….….-40~150℃　　

　　存儲溫度范圍………………………....…. ….-55~150℃　　

　　管腳焊接溫度 （10秒）……………..……………...260℃　　

　　封裝熱阻RθJC （SOP-8）…...........……………….80℃/W　　

　　人體模式ESD 能力(1)（HBM）……..…...….……... ±4kV　　

　　漏極脈沖電流（Tpulse=100us）………….…….…..…..…3A

　　

　　如果需要PN8680M原邊反饋低功耗電源芯片產品的詳細手冊或其他資料，請聯系我們在線客服向我們申請。>>