PN8366產品描述：

PN8366集成超低待機功耗準諧振原邊控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET(PN8366M 700VPN8366H 800V)，用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源。PN8366為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。內置高壓啟動電路，可實現芯片空載損耗（230VAC）小于30mW。在恒壓模式，采用準諧振與多模式技術提高效率并消除音頻噪聲，使得系統滿足6級能效標準，可調輸出線補償功能能使系統獲得較好的負載調整率；在恒流模式，輸出電流和功率可通過CS腳的電阻進行調節。該芯片提供了極為全面的智能保護功能，包含逐周期過流保護、過壓保護、開環保護、過溫保護、輸出短路保護和CS開/短路保護等。

 

PN8366產品特點：

內置高雪崩能力智能功率MOSFET(M 700V/H 800V)

內置高壓啟動電路，小于30mW空載損耗（230VAC）

采用準諧振與多模式技術提高效率，滿足6級能效標準

全電壓輸入范圍±5%的CC/CV精度

原邊反饋可省光耦和TL431

恒壓、恒流、輸出線補償外部可調

無需額外補償電容

無音頻噪聲

智能保護功能

     過溫保護 (OTP)

     VDD欠壓&過壓保護 (UVLO&OVP)

     逐周期過流保護 (OCP)

     CS開/短路保護 (CS O/SP）

     開環保護 (OLP)

典型應用圖